特許

J-GLOBAL ID：200903059103346940

光変調素子

発明者： 田中 英明 ,  鈴木 正敏 ,  松島 裕一
出願人/特許権者： 国際電信電話株式会社
代理人 (1件)： 大塚 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-175911
公開番号（公開出願番号）：特開平5-341242
出願日： 1992年06月11日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】変調領域の両側に導波路領域を設けることによって、素子の静電容量を小さくし、かつpn接合が空気に曝されないようにした光変調素子を提供する。【構成】n側電極の上に基板とn型クラッド層と変調光導波層が積層され、該変調光導波層の光の進行方向に沿って中央に変調領域が位置しその前後に2つの導波領域がそれぞれ位置して、該変調領域となる該変調光導波層の上にノンドープ層とp型クラッド層とp側電極とが積層され、該2つの導波領域となる該変調光導波層の上に半絶縁性半導体が積層されるように構成されている。

請求項（抜粋）：

n側電極の上に基板とn型クラッド層と変調光導波層とが積層され、該変調光導波層の光の進行方向に沿って中央に変調領域が位置しその前後に2つの導波領域がそれぞれ位置して、該変調領域となる該変調光導波層の上にノンドープクラッド層とp型クラッド層とp側電極とが積層され、該2つの導波領域となる該変調光導波層の上に半絶縁性半導体が積層されるように構成された光変調素子。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-155309
  
• 特開平2-212804
  
• 特開平1-185612
  
• 特開平3-073905