特許

J-GLOBAL ID：200903059105205589

裏面電極型太陽電池および裏面電極型太陽電池の製造方法

発明者： 中村 京太郎
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-150831
公開番号（公開出願番号）：特開2005-333016
出願日： 2004年05月20日
公開日（公表日）： 2005年12月02日
要約：

【課題】 変換効率が大きな裏面電極型太陽電池および裏面電極型太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】 裏面電極型太陽電池は、主表面にp+領域12およびn+領域13が形成された多結晶のシリコン基板10と、p+領域12に接続されたp電極14およびn+領域13に接続されたn電極15とを備える。裏面電極型太陽電池は、シリコン基板10の結晶粒の長手方向が、シリコン基板10の厚さ方向に対して、ほぼ垂直になるように形成されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

主表面に、第1導電型の第1ドーピング領域および第2導電型の第2ドーピング領域が形成された多結晶の半導体基板と、 前記第1ドーピング領域に接続された第1電極および前記第2ドーピング領域に接続された第2電極と を備え、 前記半導体基板の結晶粒の長手方向が、前記半導体基板の厚さ方向に対して、ほぼ垂直になるように形成されている、裏面電極型太陽電池。

IPC (1件)：

H01L31/04

FI (1件)：

H01L31/04 A

Fターム (10件)：

5F051AA03 ,  5F051CB06 ,  5F051CB18 ,  5F051CB27 ,  5F051CB30 ,  5F051DA03 ,  5F051DA20 ,  5F051GA04 ,  5F051GA20 ,  5F051HA01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第4,927,770号明細書