特許

J-GLOBAL ID：200903059107587438

半導体装置

発明者： 伊藤 達志 ,  山中 一人 ,  北村 富士夫 ,  池村 和弘 ,  中尾 稔 ,  木村 英人 ,  多喜 秀彰
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
代理人 (1件)： 西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-290149
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273252
出願日： 1990年06月19日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：

【要約】【目的】耐熱衝撃信頼性および耐半田クラック特性の双方に加えて、耐湿信頼性等の特性にも優れた半導体装置を提供する。【構成】下記の特性(A)および(B)を備えたエポキシ樹脂組成物硬化体により半導体素子が封止された半導体装置である。(A)硬化体中の無機質充填剤の含有容積割合が60容積%以上。(B)硬化体のガラス転移温度が125°C以下。

請求項（抜粋）：

下記の特性(A)および(B)を備えたエポキシ樹脂組成物硬化体により半導体素子が封止されてなる半導体装置。(A)硬化体中の無機質充填剤の含有容積割合が60容積%以上。(B)硬化体のガラス転移温度が125°C以下。

IPC (4件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08G 59/18 NKK ,  C08L 63/00 NKT

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭49-077943
  
• 特開昭63-251419
  
• 特開平1-268711