膜パターン付基板及びその作製方法、半導体装置の作製方法、液晶テレビジョン、並びにELテレビジョン

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-007477
公開番号（公開出願番号）：特開2005-334864
出願日： 2005年01月14日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：

【課題】簡単な工程で絶縁膜、半導体膜、導電膜等の膜パターンを有する基板を作製する方法、さらには、層間絶縁膜、平坦化膜、ゲート絶縁膜等の絶縁膜、配線、電極、端子等の導電膜、半導体膜等の半導体素子の各部位の膜、良好なマスクパターン、及びコンタクトホールを形成する方法を提案し、更には低コストで、スループットや歩留まりの高い半導体装置の作製方法を提供する。【解決手段】基板上に塗れ性の低い1のマスクパターンを形成した後、前記第1のマスクパターンの外縁に塗れ性の高い材料を塗布塗布又は吐出して、膜パターン、及び該膜パターンを有する基板を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

膜又は部材表面上に、塗れ性の低いマスクパターンを形成した後、前記膜又は部材表面上において、前記マスクパターンの外縁に、所望の形状を有する塗れ性の高い膜パターンを形成することを特徴とする膜パターン付基板の形成方法。

IPC (9件)：

B05D1/32 , G02F1/13 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L29/786 , H01L51/00

FI (15件)：

B05D1/32 A , G02F1/13 101 , H01L21/28 301R , H01L21/288 Z , H01L21/88 B , H01L21/90 Q , H01L29/78 627C , H01L29/78 617V , H01L29/78 619A , H01L29/78 618A , H01L29/78 616L , H01L29/78 616K , H01L29/78 618B , H01L29/78 612D , H01L29/28

Fターム (188件)：

2H088FA18 , 2H088FA24 , 2H088FA30 , 2H088HA02 , 2H088HA06 , 2H088HA08 , 2H088MA16 , 2H088MA20 , 4D075AC06 , 4D075AC09 , 4D075AC88 , 4D075AC93 , 4D075AD01 , 4D075AE02 , 4D075AE04 , 4D075BB20Y , 4D075BB45Y , 4D075BB66Y , 4D075CA22 , 4D075CA23 , 4D075CA36 , 4D075CA37 , 4D075CB38 , 4D075DA04 , 4D075DA06 , 4D075DB04 , 4D075DB13 , 4D075DB14 , 4D075DB48 , 4D075DB55 , 4D075DC19 , 4D075DC22 , 4D075DC24 , 4D075EA06 , 4D075EA07 , 4D075EB16 , 4D075EB19 , 4D075EB22 , 4D075EB32 , 4D075EB33 , 4D075EB35 , 4D075EB37 , 4D075EB38 , 4D075EB39 , 4D075EB42 , 4D075EB43 , 4M104AA01 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD51 , 4M104DD79 , 4M104DD80 , 4M104DD81 , 4M104GG20 , 5F033GG03 , 5F033GG04 , 5F033HH03 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH38 , 5F033PP26 , 5F033QQ73 , 5F033QQ82 , 5F033QQ83 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR09 , 5F033RR14 , 5F033RR15 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033RR25 , 5F033SS07 , 5F033SS08 , 5F033SS11 , 5F033SS21 , 5F033SS24 , 5F033VV06 , 5F033VV15 , 5F033XX33 , 5F033XX34 , 5F110AA16 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE27 , 5F110EE42 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF10 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG12 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG16 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG44 , 5F110GG45 , 5F110HJ16 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK08 , 5F110HK21 , 5F110HK25 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HK35 , 5F110HK39 , 5F110HK41 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL06 , 5F110HL07 , 5F110HL08 , 5F110HL14 , 5F110HM14 , 5F110HM18 , 5F110NN03 , 5F110NN16 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110QQ01 , 5F110QQ11

引用特許：

出願人引用 (1件)

液晶素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-257398 出願人：キヤノン株式会社

審査官引用 (6件)

被処理部材の保管方法およびパターン形成方法、デバイス、並びにデバイスの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-081215 出願人：セイコーエプソン株式会社
有機EL素子の製造方法、有機EL素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-101312 出願人：セイコーエプソン株式会社
パターン形成方法、半導体デバイス、電気回路、表示体モジュール、カラーフィルタおよび発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-317281 出願人：セイコーエプソン株式会社

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