特許
J-GLOBAL ID：200903059123838327

π共役系導電性高分子の精製方法並びに電気エネルギー蓄積デバイス及び半導体デバイス

発明者：
向畠 眞一郎

向畠 眞一郎 について

, 
大島 雅史

大島 雅史 について


出願人/特許権者：
日本カーリット株式会社

日本カーリット株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-292150
公開番号（公開出願番号）：特開2006-104314
出願日： 2004年10月05日
公開日（公表日）： 2006年04月20日
要約：
【課題】π共役系導電性高分子中に残渣する鉄イオンを効率的に除去し、電気エネルギー蓄積デバイスや半導体デバイスへ応用可能な耐熱性・耐湿性に優れたπ共役系導電性高分子の精製法を得る。【解決手段】π共役系導電性高分子の原料となる単量体から芳香族スルホン酸金属塩を酸化剤とする酸化重合反応によって生成されるπ共役系導電性高分子を精製する方法であって、前記重合反応後に、所定のキレート化合物を含み、その濃度、溶液温度、pHなどを制御した洗浄液を用いて洗浄することによって、π共役系導電性高分子中に残渣する鉄イオンを除去する。得られるπ共役系導電性高分子は耐熱性・耐湿性に優れるために、電気エネルギー蓄積デバイスや半導体デバイスの構成材料として好適である。【選択図面】 なし
請求項（抜粋）：
π共役系導電性高分子の単量体から芳香族スルホン酸金属塩を酸化剤とする酸化重合反応によって生成されるπ共役系導電性高分子を精製する方法であって、前記π共役系導電性高分子を、キレート化合物を含む洗浄液を用いて洗浄することにより、該π共役系導電性高分子中に残渣する金属イオンを除去することを特徴とするπ共役系導電性高分子の精製方法。
IPC (3件)：
C08G 61/12 ,  C08G 73/00 ,  H01G 9/028
FI (3件)：
C08G61/12 ,  C08G73/00 ,  H01G9/02 331H
Fターム (16件)：
4J032BA04 ,  4J032BA13 ,  4J032BC03 ,  4J032BD07 ,  4J032CG01 ,  4J043PA02 ,  4J043QB02 ,  4J043SA05 ,  4J043SA47 ,  4J043SB01 ,  4J043UA121 ,  4J043XA28 ,  4J043XA29 ,  4J043YA01 ,  4J043ZA44 ,  4J043ZB49
引用特許：
出願人引用 (2件)

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