特許
J-GLOBAL ID：200903059123895738

ナノチューブの加工方法及び電界放出型冷陰極の製造方法並びに表示装置の製造方法

発明者：
岡本 明彦

岡本 明彦 について

, 
伊藤 文則

伊藤 文則 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 高橋 詔男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-368424
公開番号（公開出願番号）：特開2001-180920
出願日： 1999年12月24日
公開日（公表日）： 2001年07月03日
要約：
【要約】【課題】 ナノチューブを劣化させることなく短く切断することが可能で、このナノチューブをエミッタとしたときに、エミッタ表面の平坦性が向上するナノチューブの加工方法、エミッタ表面の平坦性が向上し、その結果、均一で安定な高放出電流を発生させることが可能な電界放出型冷陰極の製造方法、ナノチューブの加工方法及び/または電界放出型冷陰極の製造方法を含む表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明のナノチューブの加工方法は、ナノチューブ1にイオン2を照射する工程と、前記ナノチューブ1を酸化する工程とを含むことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
ナノチューブにイオンを照射する工程と、前記ナノチューブを酸化する工程とを含むことを特徴とするナノチューブの加工方法。
IPC (4件)：
C01B 31/02 101 ,  B82B 3/00 ,  C23C 14/48 ,  H01J 9/02
FI (4件)：
C01B 31/02 101 F ,  B82B 3/00 ,  C23C 14/48 B ,  H01J 9/02 B
Fターム (11件)：
4G046CA00 ,  4G046CB09 ,  4G046CC02 ,  4G046CC03 ,  4G046CC06 ,  4K029AA04 ,  4K029AA22 ,  4K029BD00 ,  4K029CA10 ,  4K029EA00 ,  4K029EA08
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • イオン照射装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-204277   出願人：日新電機株式会社
  • 平面ディスプレイ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-330436   出願人：伊勢電子工業株式会社

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