発光ダイオード装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-248666
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086636
出願日： 1993年09月09日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】高効率で均一な発光出力を得る。【構成】図(A)に示すように、基板21上に第1のクラッド層22、活性層23、第2のクラッド層24を順次積層する。そして、図(B)に示すように、窒化シリコン27をマスクとして第2のクラッド層24の途中までエッチングする。さらに、図(C)に示すように、電流狭窄層28を積層する。その後、窒化シリコン27を除去して、図(D)に示すように、コンタクト層29を積層する。最後に、このコンタクト層29上の外周部に電極26を蒸着して発光面の中央部分を発光窓30とすると共に、基板21の裏面に電極25を蒸着することにより、本発明の発光ダイオード装置を製造することができる。また、図(E)に示すように、臨界角θよりも大きな角度でしか光が入射されない部分に電極26を設けることにより、発光窓30を必要かつ十分な大きさにすることができる。

請求項（抜粋）：

基板上に少なくとも第1のクラッド層と活性層とこの第1のクラッド層とは導電型の異なる第2のクラッド層とがこの順番に形成されたダブルへテロ構造を有する発光ダイオード装置において、前記第2のクラッド層に前記第2のクラッド層よりも高屈折率の電流狭窄層を設けると共に、基板裏面及び発光面の周囲部分に電極を形成したことを特徴とする発光ダイオード装置。

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