特許

J-GLOBAL ID：200903059131070411

太陽電池素子の製造方法

発明者： 府川 祐子 ,  高橋 宏明
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-161509
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353476
出願日： 2001年05月29日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：

【要約】【課題】 アルミニウムとシリコンの熱収縮率の違いによって焼成後に発生する基板の反りによる後工程でのセル割れを抑制することを目的とする。【解決手段】 半導体基板の一主面側と他の主面側に異なる導電領域を形成して、一主面側に表面電極を形成するとともに、他の主面側に裏面電極を形成する太陽電池素子の形成方法において、前記裏面電極を形成した後にこの裏面電極の表面を厚み方向に一部エッチングする。

請求項（抜粋）：

半導体基板の一主面側と他の主面側に異なる導電領域を形成して、一主面側に表面電極を形成するとともに、他の主面側に裏面電極を形成する太陽電池素子の形成方法において、前記裏面電極を形成した後にこの裏面電極の表面を厚み方向に一部エッチングすることを特徴とする太陽電池素子の製造方法。

Fターム (10件)：

5F051AA02 ,  5F051BA11 ,  5F051CB13 ,  5F051CB21 ,  5F051CB27 ,  5F051DA03 ,  5F051FA10 ,  5F051FA15 ,  5F051FA17 ,  5F051HA03