特許

J-GLOBAL ID：200903059132929424

半導体基板

発明者： 末岡 浩治
出願人/特許権者： 住友シチックス株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-353386
公開番号（公開出願番号）：特開平10-150048
出願日： 1996年11月15日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：

【要約】【課題】 実際のLSI製造時の熱処理により、酸素析出物からスリップ転位が発生し、このスリップ転位が半導体基板の表面を貫通してしまい、リーク電流発生の原因となっていた。【解決手段】 半導体基板に1〜3.3×1017個/cm3 の範囲で炭素を含有させる。

請求項（抜粋）：

(5〜20)×1017個/cm3 の酸素を含む半導体基板において、1〜3.3×1017個/cm3 の炭素を含有していることを特徴とする半導体基板。