透明積層体の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：祢▲ぎ▼元邦夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-369356
公開番号（公開出願番号）：特開2001-179868
出願日： 1999年12月27日
公開日（公表日）： 2001年07月03日
要約：

【要約】【課題】高い電磁波シ-ルド性を発揮し、しかも可視光線透過性や耐クラツク性にすぐれ、同時に近赤外線カツト性や可視光線低反射性などの諸特性も満足する透明積層体の製造方法を提供する。【解決手段】透明フイルム基体1の表面に、高屈折率透明薄膜2Aと銀系透明導電体薄膜3Aを1単位としてn単位(2≦n≦4)が順次積層され、その面上に高屈折率透明薄膜2Dが形成されてなる透明積層体において、上記の各薄膜をスパツタリング法で成膜するにあたり、透明フイルム基体1の温度を、高屈折率透明薄膜の成膜時には260〜310Kに、銀系透明導電体薄膜の成膜時には340〜420Kに、保つことを特徴とする透明積層体の製造方法。

請求項（抜粋）：

透明フイルム基体の表面に、高屈折率透明薄膜と銀系透明導電体薄膜を1単位としてn単位(2≦n≦4)が順次積層され、その面上に高屈折率透明薄膜が形成されてなる透明積層体において、上記の各薄膜をスパツタリング法で成膜するにあたり、透明フイルム基体の温度を、高屈折率透明薄膜の成膜時には260〜310Kに、銀系透明導電体薄膜の成膜時には340〜420Kに、保つことを特徴とする透明積層体の製造方法。

IPC (4件)：

B32B 7/02 103 , B32B 7/02 104 , H01B 5/14 , H01B 13/00 503

FI (4件)：

B32B 7/02 103 , B32B 7/02 104 , H01B 5/14 A , H01B 13/00 503 B

Fターム (45件)：

4F100AA33 , 4F100AB24C , 4F100AB24E , 4F100AB25 , 4F100AK42 , 4F100AR00A , 4F100AR00B , 4F100AR00C , 4F100AR00D , 4F100AR00E , 4F100BA03 , 4F100BA05 , 4F100BA07 , 4F100BA08 , 4F100BA10A , 4F100BA10E , 4F100BA13 , 4F100EH662 , 4F100GB90 , 4F100JD08 , 4F100JG01C , 4F100JG01E , 4F100JK14 , 4F100JM02B , 4F100JM02D , 4F100JM02E , 4F100JN01A , 4F100JN01B , 4F100JN01C , 4F100JN01D , 4F100JN01E , 4F100JN06 , 4F100JN08 , 4F100JN18B , 4F100JN18D , 4F100JN18E , 5G307FA02 , 5G307FB01 , 5G307FB02 , 5G307FC08 , 5G307FC09 , 5G307FC10 , 5G323BA01 , 5G323BA02 , 5G323BB05

前のページに戻る