特許

J-GLOBAL ID：200903059133206264

アレイ基板の製造方法

発明者： 上園 重広
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 蔦田 璋子 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-395255
公開番号（公開出願番号）：特開2002-196364
出願日： 2000年12月26日
公開日（公表日）： 2002年07月12日
要約：

【要約】【課題】 ガラス基板上面に接して配されたモリブデン-タングステン合金(Mo-W)合金薄膜を、フッ素系ガスを用いる反応性イオンエッチングによりパターニングする工程と、該合金薄膜パターンを絶縁膜により被覆する工程とを含むアレイ基板の製造方法において、エッチング処理の工程に由来して生じる該絶縁膜の損傷、及び上下配線パターン間の短絡を防止することができるものを提供する。【解決手段】反応性イオンエッチングの際のエッチング室内のガス圧を9.3〜10.7Paとする。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に配された金属薄膜を、エッチング室内に配し、フッ素系ガス及び酸素ガスの混合ガスを導入してエッチングする工程と、この工程により得られた金属薄膜パターンを絶縁膜により被覆する工程とを含むアレイ基板の製造方法において、前記エッチング時の前記エッチング室内におけるガスの全圧が9.3〜10.7Paであることを特徴とするアレイ基板の製造方法。

IPC (6件)：

G02F 1/1368 ,  G02F 1/1343 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 29/786

FI (7件)：

G02F 1/1368 ,  G02F 1/1343 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/28 F ,  H01L 21/302 J ,  H01L 29/78 617 K ,  H01L 29/78 626 C

Fターム (42件)：

2H092JA26 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA18 ,  2H092MA35 ,  2H092NA16 ,  2H092PA01 ,  4M104AA09 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104CC05 ,  4M104DD65 ,  4M104DD67 ,  4M104GG09 ,  4M104HH20 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094DA15 ,  5C094EB02 ,  5C094GB10 ,  5F004AA05 ,  5F004AA11 ,  5F004DA00 ,  5F004DA18 ,  5F004DA26 ,  5F004DB08 ,  5F004EB02 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE06 ,  5F110EE23 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110QQ04