特許
J-GLOBAL ID：200903059134249900
プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-259860
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088190
出願日： 1994年09月16日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：
【要約】【目的】ウェハの大経口化に対応できるような簡便な方法で高密度プラズマ源を有しプラズマ及びエッチングの速度の均一化が可能なプラズマ処理装置を提供する。また、エッチング条件を変えることなく選択比、形状を制御できるプラズマ処理方法を提供する。【構成】上部に誘電体材料で構成される窓を有し他の部分が電気的に接地された反応容器と、反応容器外で前記誘電体窓に近接して配置される渦巻き状のコイルと、反応容器内の下部に試料が載置される下部電極と、前記誘電体窓と下部電極間距離を可変する機構と、前記下部電極に高周波電圧を印加する手段を有し、前記誘電体窓の厚さを一部厚くすることによりプラズマ及びエッチング速度の均一化を達成する。また、前記コイルにより生成される誘電電界を、反応容器の中心に対し軸対称とすることでプラズマ及びエッチング速度の均一化を達成し、コイルの位置をコイルの軸方向に可動することでエッチング形状、選択比を制御する。
請求項（抜粋）：
上部に誘電体材料で構成されるプレートを有し他の部分が電気的に接地された真空反応容器と、該反応容器外で該誘電体プレートの上面に近接して配置される渦巻き状のコイルと、該コイルに高周波電流を流すためのRF電源と、該RF電源と該コイルとのチューニング機構と、該真空反応容器内に複数のプロセスガスを導入する手段と、該プロセスガスの圧力を制御する手段と、該真空反応容器内の下部に位置し試料が載置される下部電極と、該誘電体プレートと該下部電極間距離を可変する機構と、該下部電極に高周波電圧を印加する手段とを備えた低圧、高密度プラズマ処理装置において、該誘電体プレートを該反応容器中央部で厚く、周辺部で薄くすることを特徴としたプラズマ処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/3065
