特許
J-GLOBAL ID：200903059141828673
透明導電薄膜の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
久保田 耕平 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-161662
公開番号（公開出願番号）：特開平5-334923
出願日： 1992年05月29日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：
【要約】【目的】 低い抵抗率を有する透明導電薄膜を製造する方法を提供する。【構成】 スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等の薄膜形成法によって、亜酸化窒素ガスを1〜60体積%含有するガスの存在下で、基板上に透明導電薄膜を形成する。
請求項（抜粋）：
薄膜形成法によって基板上に透明導電薄膜を製造する方法において、該薄膜形成法を、亜酸化窒素を1〜60体積%含有するガスの存在下で行うことを特徴とする方法。
IPC (4件)：
H01B 13/00 503
, C23C 14/08
, G02F 1/1343
, H01B 5/14
