特許

J-GLOBAL ID：200903059142724510

半導体製造装置の冷却配管構造

発明者： 金森 順
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 船橋 国則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-163441
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335276
出願日： 1992年05月29日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】 配管全体の外径を小さくすることができ、しかも装置全体の冷却効率を大幅に向上させることが可能な半導体製造装置の冷却配管構造を提供する。【構成】 基板17が載置される試料台18を処理室に配置してなる装置本体11と、装置本体11の外部に配設され、冷却配管21を介して試料台18に冷却溶剤を供給する冷却器22とを備え、冷却器22から供給される冷却溶剤の冷却作用によって試料台18に載置した基板17を冷却する半導体製造装置において、冷却配管21は、試料台18に冷却溶剤を供給するための第1の配管21aと、この第1の配管21aを略同心状に内部に配置してなる第2の配管21bとからなり、これら第1の配管21aと第2の配管21bの間隙部分に減圧層24を形成した冷却配管構造。

請求項（抜粋）：

基板が載置される試料台を処理室に配置してなる装置本体と、この装置本体の外部に配設され、前記試料台に冷却配管を介して冷却溶剤を供給する冷却器とを備え、前記冷却器から供給される冷却溶剤の冷却作用によって前記試料台に載置した基板を冷却する半導体製造装置において、前記冷却配管は、前記試料台に前記冷却溶剤を供給するための第1の配管と、この第1の配管を略同心状に内部に配置してなる第2の配管とからなり、前記第1の配管と前記第2の配管の間隙部分に減圧層が形成されたことを特徴とする半導体製造装置の冷却配管構造。

IPC (2件)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/22

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-107540
  
• 特開平2-030126
  
• 特開平1-107540
  
• 特開平2-030126