特許

J-GLOBAL ID：200903059147519150

半導体装置の製造方法

発明者： 江尻 洋一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-313196
公開番号（公開出願番号）：特開平10-154755
出願日： 1996年11月25日
公開日（公表日）： 1998年06月09日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 バイポーラトランジスタの素子形成プロセスとトレンチ素子分離領域形成プロセスとの共通化を図り、これにより低コストのトレンチ素子分離を可能にする。【解決手段】 半導体基体に複数のバイポーラトランジスタを形成するに際して、半導体基体に形成した溝19に絶縁材料を埋め込むことにより、複数のバイポーラトランジスタ間の素子分離領域Tを形成する。バイポーラトランジスタのベース領域13形成のためのドーピングを行うと同時に、溝19から形成される素子分離領域の周辺部にもドーピングを行う。

請求項（抜粋）：

半導体基体に複数のバイポーラトランジスタを形成するに際して、該半導体基体に形成した溝に絶縁材料を埋め込むことによって前記複数のバイポーラトランジスタ間の素子分離領域を形成する半導体装置の製造方法において、前記バイポーラトランジスタのベース領域形成のためのドーピングを行うと同時に、前記溝から形成される素子分離領域の周辺部にもドーピングを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/8222 ,  H01L 27/082 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (3件)：

H01L 27/08 101 B ,  H01L 21/76 L ,  H01L 29/72