特許
J-GLOBAL ID：200903059148642516
気相成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-245022
公開番号（公開出願番号）：特開平5-062916
出願日： 1991年08月30日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：
【要約】【目的】 管壁成長を抑制し、表面欠陥の少ない結晶成長を行う。【構成】 上下に区切られた複数のガス導入口1,2を有する横型反応管において、基板結晶と反対側に位置する導入口2より原料成分を含まず、かつ他の導入口1より導入されるキャリアガスより分子量の大きなガスを導入して管壁への原料成分の熱拡散を防止し、管壁成長を抑制する。
請求項（抜粋）：
横型反応管にて上下に区切られた複数の原料導入口から原料成分をガス状物質で結晶基板上に供給する気相成長方法において、結晶基板と反対側に位置する導入口から原料を含まず、且つ、その他の導入口から導入されるキャリアガスより分子量の大きいガスを導入することを特徴とする気相成長方法。
IPC (2件)：
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