半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-162134
公開番号（公開出願番号）：特開2007-036205
出願日： 2006年06月12日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：

【課題】ショートチャネル効果を抑制すると共にキャリア移動度の向上を図る半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板11中、ソース領域11Sおよびドレイン領域11Dに対応してトレンチ11-1A,11-1Bを形成し、トレンチ11-1A,11-1Bをp型の不純物元素を含むSiGe混晶層19A,19Bによりエピタキシャルに充填する際に、トレンチ11-1A,11-1Bの側壁面19bをファセットにより画成し、さらに第2側壁絶縁膜18A,18Bの底面の下側のシリコン基板11の表面にSiGe混晶層19A,19Bからなる延出部19Aa,19Baを形成し、ソースエクステンション領域11EAおよびドレインエクステンション領域11EBに接触させる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

チャネル領域を含むシリコン基板と、前記シリコン基板上に、前記チャネル領域に対応してゲート絶縁膜を介して形成されるゲート電極と、前記ゲート電極の対向する一対の側壁面上に形成される第1の側壁絶縁膜と、前記第1の側壁絶縁膜の外側の側壁面上に形成される一対の第2の側壁絶縁膜と、前記シリコン基板中、前記ゲート電極の両側に前記チャネル領域を挟んでそれぞれ形成された一の導電型の拡散領域よりなるソースエクステンション領域およびドレインエクステンション領域と、前記シリコン基板中、前記一対の第2の側壁絶縁膜の外側に、それぞれ前記ソースエクステンション領域およびドレインエクステンション領域に連続して形成された前記導電型の拡散領域よりなるソース領域およびドレイン領域と、前記シリコン基板中、前記一対の第2の側壁絶縁膜の外側に、前記シリコン基板に対してエピタキシャルに形成された一対の半導体混晶層領域とよりなり、前記半導体混晶層領域は、前記導電型がp型の場合はSiGe混晶層からなり、n型の場合はSiC混晶層からなり、前記一対の半導体混晶層領域の各々は、前記導電型の不純物元素を含み、前記ゲート絶縁膜とシリコン基板とのゲート絶縁膜界面よりも高いレベルまで成長すると共に、前記第2の側壁絶縁膜の底面とシリコン基板の表面との間に、ソースエクステンション領域およびドレインエクステンション領域の各々の一部に接触するように形成された延出部を有する半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 , H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 27/08 , H01L 21/76

FI (6件)：

H01L29/78 301S , H01L29/78 301X , H01L27/08 321E , H01L27/08 321D , H01L27/08 331A , H01L21/76 L

Fターム (88件)：

5F032AA35 , 5F032AA45 , 5F032AA46 , 5F032AA54 , 5F032AA70 , 5F032AA77 , 5F032CA17 , 5F032DA04 , 5F032DA16 , 5F032DA24 , 5F032DA28 , 5F032DA78 , 5F048AA04 , 5F048AA07 , 5F048AB04 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BA10 , 5F048BA14 , 5F048BA19 , 5F048BB01 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB08 , 5F048BB12 , 5F048BB14 , 5F048BC01 , 5F048BC05 , 5F048BC06 , 5F048BC15 , 5F048BC18 , 5F048BC20 , 5F048BD01 , 5F048BD02 , 5F048BD04 , 5F048BE03 , 5F048BF06 , 5F048BF16 , 5F048BG01 , 5F048BG03 , 5F048BG14 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F048DA30 , 5F140AA05 , 5F140AA21 , 5F140AB03 , 5F140AC28 , 5F140BA01 , 5F140BA20 , 5F140BD09 , 5F140BE14 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BF19 , 5F140BF40 , 5F140BG09 , 5F140BG10 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG30 , 5F140BG34 , 5F140BG44 , 5F140BG45 , 5F140BG52 , 5F140BG54 , 5F140BG56 , 5F140BH06 , 5F140BH14 , 5F140BH27 , 5F140BH35 , 5F140BH49 , 5F140BJ09 , 5F140BK02 , 5F140BK09 , 5F140BK10 , 5F140BK13 , 5F140BK16 , 5F140BK18 , 5F140BK21 , 5F140BK29 , 5F140BK34 , 5F140BK38 , 5F140BK39 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CF04

引用特許：

出願人引用 (2件)

米国特許第6621131号明細書
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-380619 出願人：富士通株式会社

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