特許

J-GLOBAL ID：200903059153836590

半導体モジュールの製造方法

発明者： 井本 晃 ,  久高 将文 ,  松本 譲 ,  坂ノ上 聡浩 ,  古橋 和雅 ,  末永 弘
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-271530
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130907
出願日： 1993年10月29日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】 ICベアチップで発生する熱を外部に有効に放熱することができ、回路基板に形成又は配置した他の電子部品の誤動作なく、熱信頼性が向上し、低背化し、表面配線の高密度化が達成できる半導体モジュールの製造方法を提供する。【構成】 光硬化可能なモノマーを含有するセラミックスリップ材を塗布により絶縁膜10a〜10eを形成する工程、該絶縁膜10a〜10eでビアホール導体4となる位置及びヒートシンク金属部材5が配置される位置に、露光・現像処理によって貫通凹部40、50を形成する工程、該貫通凹部40、50に、導電性ペーストを充填し、該絶縁膜10a〜10e上に内部配線3となる導体膜30を形成する工程を順次繰り返し、さらに、一体的に焼結した後に、ICベアチップ2を接合配置する工程かち成る半導体モジュールの製造方法。

請求項（抜粋）：

複数の絶縁膜間に、ビアホール導体となる導体によって接続された内部配線となる導体膜を配し、且つ複数の絶縁膜の厚み方向を貫くようにヒートシンク金属部材となる金属部材を配置した積層体を形成した後、該積層体を一体的に焼成を行うとともに、前記ヒートシンク金属部材の上部にICベアチップを接合して成る半導体モジュールの製造方法において、前記積層体の形成が、(1)光硬化可能なモノマーを含有するセラミックスリップ材を塗布して絶縁膜を形成する工程と、(2)前記絶縁膜を選択的に露光・現像処理して、前記ヒートシンク金属部材が配置される位置及び又はビアホール導体となる位置に貫通孔を形成する工程と、(3)前記絶縁膜のヒートシンク金属部材用貫通孔に金属ペーストを充填してヒートシンク金属部材となる金属部材を形成する工程と、(4)前記絶縁膜のビアホール導体用貫通孔に導電性ペーストを充填してビアホール導体となる導体とを形成する工程(5)前記絶縁膜の表面に導電性ペーストを印刷して内部配線となる導体膜を形成する工程とを含み、且つ少なくとも(1)、(2)及び(3)の工程が、順次繰り返して行われることを特徴とする半導体モジュールの製造方法。