特許

J-GLOBAL ID：200903059156944645

シリコン単結晶の引上げ方法

発明者： 原田 和浩 ,  田中 英夫 ,  渡辺 敏彦 ,  降屋 久
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社 ,  三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-221952
公開番号（公開出願番号）：特開平8-091983
出願日： 1994年09月16日
公開日（公表日）： 1996年04月09日
要約：

【要約】【目的】 半導体デバイス工程で熱処理したときにシリコンウェーハに発現する積層欠陥及び酸素析出物の要因をシリコン単結晶インゴットの引上げ時に生じさせず、しかも生産性が高い。【構成】 引上げ装置内の坩堝に保持されたシリコン融液からシリコン単結晶インゴットを引上げる方法に関し、0.6〜2.0mm/分の引上げ速度で引上げつつあるシリコン単結晶インゴットの降下温度分布のうち1130〜1070°Cの温度範囲で降温速度を0〜0.3°C/分に減速してこの降温速度を少なくとも10分間保持する。

請求項（抜粋）：

引上げ装置(12)内の坩堝(4)に保持されたシリコン融液(7)からシリコン単結晶インゴット(11)を引上げる方法において、0.6〜2.0mm/分の引上げ速度で引上げつつあるシリコン単結晶インゴット(11)の降下温度分布のうち1130〜1070°Cの温度範囲で降温速度を0〜0.3°C/分に減速して前記降温速度を少なくとも10分間保持することにより引上げ後熱処理したときにシリコンウェーハに積層欠陥及び酸素析出物を生じさせないようにすることを特徴とするシリコン単結晶の引上げ方法。

IPC (3件)：

C30B 15/20 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208