特許

J-GLOBAL ID：200903059159647625

半導体記憶装置

発明者： 市口 哲一郎
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-225866
公開番号（公開出願番号）：特開平6-076594
出願日： 1992年08月25日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】 半導体記憶装置のリペアイネーブル(救済)率向上が目的である。【構成】 半導体記憶装置の置換用予備のメモリセル群12、13(冗長行、冗長列)をメモリセルアレイ1の最外周以外に配置して、レイアウト構成、回路構成をおこなう。

請求項（抜粋）：

冗長メモリセルをメモリセルアレイの中央部分に配置したことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4件)：

G11C 29/00 301 ,  G11C 11/401 ,  H01L 21/82 ,  H01L 27/108

FI (3件)：

G11C 11/34 371 D ,  H01L 21/82 R ,  H01L 27/10 325 R