特許
J-GLOBAL ID：200903059166103363
X線露光用マスクとその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
上田 章三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-046237
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260397
出願日： 1993年03月08日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：
【要約】【目的】 X線照射耐性の向上が図れしかも製造中に透過性支持膜の破損が起こり難いX線露光用マスクとその製造方法を提供すること。【構成】 このX線露光用マスクは、中央にX線透過窓1を有するシリコン製の枠体2と、枠体2にその周縁部が保持されかつX線を透過すると共にその内部応力が解放されたSi3N4膜から成る透過性支持膜3と、透過性支持膜3の主面上にパターン状に設けらたTaから成るX線吸収体4と、上記枠体2の側面並びに裏面に設けられかつ透過性支持膜3と同一の材料で構成された保護膜5とでその主要部が構成されている。そして、透過性支持膜3がストイキオーメトリックなSi3N4膜で構成されているためその化学結合状態が安定してX線照射耐性が向上すると共に、その内部応力が解放されたSi3N4膜で構成されているため製造中においてこの内部応力に起因した透過性支持膜の破損を回避できる。
請求項（抜粋）：
中央にX線透過窓を有する枠体と、この枠体にその周縁部が保持されアライメント光とX線を共に透過する透過性支持膜と、この透過性支持膜の上記枠体とは反対側の主面上にパターン状に設けられたX線吸収体と、上記枠体の側面並びに裏面に設けられかつ透過性支持膜と同一の材料で構成される保護膜とを備えるX線露光用マスクにおいて、上記透過性支持膜が、SiNx(但し、1.0 < x ≦ 1.5)で示されその内部応力が解放された窒化シリコン膜により構成されていることを特徴とするX線露光用マスク。
IPC (2件)：
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