特許

J-GLOBAL ID：200903059180684760

グラファイトナノチューブ付き基体デバイス及びその製造方法

発明者： 吉田 功
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 光田 敦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-261181
公開番号（公開出願番号）：特開2001-089251
出願日： 1999年09月14日
公開日（公表日）： 2001年04月03日
要約：

【要約】【課題】 簡単な製造装置により低コストでグラファイトナノチューブを基体上に形成し、基体に制御回路を直接形成可能とする。【解決手段】 SiCから成る基体8を、真空雰囲気中で加熱し熱分解し、この結果生じる炭素を、基体8上に予めパターニングされて付与されている成長核となる金属部13にのみ吸着、析出させて、基体上に任意のパターン化されて形成されたグラファイトナノチューブ15を形成する。

請求項（抜粋）：

SiCから成る基体と、該基体上に形成されたグラファイトナノチューブとを有するグラファイトナノチューブ付き基体デバイスであって、上記グラファイトナノチューブは、上記基体が真空雰囲気中で加熱され熱分解されて生じる炭素が、上記基体上に予めパターニングされて付与されている成長核となる金属部にのみ吸着されてパターン化されて形成されたものであることを特徴とするグラファイトナノチューブ付き基体デバイス。

IPC (6件)：

C04B 35/64 ,  H01J 1/304 ,  H01J 9/02 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 ,  C01B 31/02 101

FI (6件)：

H01J 9/02 B ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 C ,  C01B 31/02 101 F ,  C04B 35/64 Z ,  H01J 1/30 F

Fターム (11件)：

4G046CA00 ,  4G046CB03 ,  4G046CB08 ,  4G046CB09 ,  4G046CC06 ,  5C031DD09 ,  5C031DD19 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EG02 ,  5C036EG12