半導体発光素子

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：河村洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-326330
公開番号（公開出願番号）：特開平10-173219
出願日： 1996年12月06日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：

【要約】【課題】所望の発光波長より短い波長の光をカットして、所望の波長の純粋な光を発光する半導体発光素子を提供する。【解決手段】基板1上に半導体層が積層されて発光層(活性層4)を形成し、該積層された半導体層の表面から所望の波長の光を放射する半導体発光素子であって、前記所望の波長の光を発生させるバンドギャップエネルギーより大きく、かつ、発光する光の一部を吸収し得る半導体からなるフィルタ層6が、前記積層された半導体層の表面側に設けられている。

請求項（抜粋）：

基板上に半導体層が積層されて発光層を形成し、該積層された半導体層の表面から所望の波長の光を放射する半導体発光素子であって、前記所望の波長の光を発生させるバンドギャップエネルギーより大きく、かつ、前記発光層で発光する光の一部を吸収し得る半導体からなるフィルタ層が、前記積層された半導体層の表面側に設けられてなる半導体発光素子。

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