特許

J-GLOBAL ID：200903059189342101

薄膜の形成方法

発明者： 山▲崎▼ 英亮 ,  河野 有美子
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-117509
公開番号（公開出願番号）：特開2008-240158
出願日： 2008年04月28日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：

【課題】本発明は原料ガスを交互に供給することにより成膜を行なう薄膜の形成方法に関し、インキュベーションタイムを短くしてスループットの向上を図ることを課題とする。【解決手段】半導体ウエハWをチャンバ30内に載置する工程と、チャンバ30に設けられたシャワーヘッド20を介し、金属含有ガスと反応ガスとを交互にチャンバ30内に複数回供給し、ALD法により薄膜を形成するALD工程とを有する薄膜の形成方法であって、前記ALD工程に先立って、シャワーヘッド20を介して金属含有ガスと反応ガスとをチャンバ30内に同時に供給する前処理工程を行なう。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

基板を処理室内に載置する工程と、 前記処理室に設けられたシャワーヘッドを介し、金属含有ガスと反応ガスとを交互に前記処理室内に複数回供給し、ALD法により前記薄膜を形成するALD工程とを有する薄膜の形成方法であって、 前記ALD工程に先立って、前記シャワーヘッドを介して前記金属含有ガスと前記反応ガスとを前記処理室内に同時に供給する前処理工程を行なうことを特徴とする薄膜の形成方法。

IPC (3件)：

C23C 16/455 ,  H01L 21/318 ,  C23C 16/02

FI (3件)：

C23C16/455 ,  H01L21/318 B ,  C23C16/02

Fターム (24件)：

4K030AA03 ,  4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA18 ,  4K030BA20 ,  4K030BA29 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030EA05 ,  4K030EA11 ,  4K030FA10 ,  4K030JA05 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  4K030LA15 ,  5F058BA20 ,  5F058BC09 ,  5F058BF02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開平03-201425号公報
  

審査官引用 (2件)

• 特開平3-201425
  
• 反応チャンバガス流入方法及びそれに用いるシャワ-ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-008699   出願人：三星電子株式会社