特許
J-GLOBAL ID：200903059194160011
水素センサ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-547463
公開番号（公開出願番号）：特表2002-513930
出願日： 1999年04月01日
公開日（公表日）： 2002年05月14日
要約：
【要約】本発明は、温度依存性水素感受性半導体層および水素を選択的に透過する層を有する水素センサに関する。本発明によれば半導体層はチタン酸ストロンチウム(SrTiO3)とその温度感受性の補償のためにそれに関連するチタン酸ストロンチウム層からなり、該層は選択的に水素をフィルタする外層で被覆されており、かつ第1の半導体層と異なる電動特性プロフィールを有する。外層は二酸化ケイ素(SiO2)または窒化ケイ素(Si3N4)からなる。チタン酸ストロンチウム層は酸素雰囲気中で焼成および/またはアニーリングされる。
請求項（抜粋）：
温度依存性水素感受性半導体層および選択的水素透過性の外層を有する水素センサにおいて、半導体層がチタン酸ストロンチウムSrTiO3からなり、その温度感受性の補償のためにもう1つのチタン酸ストロンチウム層が配置されており、該層に選択的に水素をフィルタする外層が被覆されており、かつ第1の半導体層とは異なる電導特性プロフィールの経過を有することを特徴とする水素センサ。
Fターム (17件)：
2G046AA05
, 2G046BA01
, 2G046BA09
, 2G046BB02
, 2G046BD03
, 2G046BD06
, 2G046CA09
, 2G046EA02
, 2G046EA04
, 2G046EA10
, 2G046FB00
, 2G046FB01
, 2G046FB06
, 2G046FC01
, 2G046FE38
, 2G046FE40
, 2G046FE44
