特許

J-GLOBAL ID：200903059195949743

シリコン系薄膜の選択成長方法

発明者： 菅 勝行 ,  瀧澤 裕 ,  田中 勉 ,  梁井 健一 ,  竹内 文代
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-287969
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142389
出願日： 1993年11月17日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、比較的低温でシリコン系薄膜、またはシリコン系絶縁膜の選択成長が可能な選択成長方法を提供することを目的とする。【構成】シリコンを含む半導体または絶縁体表面、及び酸化物系透明導電体表面を有する下地基板を、基板温度200°C以下で、シラン系ガスを含むプラズマ中にさらし、表面にシリコン成長核を形成する成長核形成工程と、前記絶縁性基板を、基板温度200°C以下で水素または不活性ガスのプラズマ中にさらし、前記半導体または絶縁体表面に形成された前記シリコン成長核は少なくとも一部残し、前記酸化物系透明導電体表面に形成された前記シリコン成長核を全て取り除く成長核除去工程と、前記成長核形成工程と、前記成長核除去工程とを所定回数交互に繰り返し、前記シリコンを含む半導体または絶縁体表面にのみシリコン系薄膜を形成するシリコン系薄膜形成工程とを含む。

請求項（抜粋）：

シリコンを含む半導体または絶縁体表面、及び酸化物系透明導電体表面を有する下地基板を、基板温度200°C以下で、シラン系ガスを含むプラズマ中にさらし、表面にシリコン成長核を形成する成長核形成工程と、前記絶縁性基板を、基板温度200°C以下で水素または不活性ガスのプラズマ中にさらし、前記半導体または絶縁体表面に形成された前記シリコン成長核は少なくとも一部残し、前記酸化物系透明導電体表面に形成された前記シリコン成長核を全て取り除く成長核除去工程と、前記成長核形成工程と、前記成長核除去工程とを所定回数交互に繰り返し、前記シリコンを含む半導体または絶縁体表面にのみシリコン系薄膜を形成するシリコン系薄膜形成工程とを含むシリコン系薄膜選択成長方法。