レジストパターン形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小西淳美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-289149
公開番号（公開出願番号）：特開平9-106081
出願日： 1995年10月12日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：

【要約】【課題】リソグラフィーのためのレジストパターンを形成する方法において、現像液のぬれ性の良いレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】基板上に形成されたレジスト表面の現像処理に際して、現像前に、従来のプリウェット処理に加えて、またはプリウェット処理とともに、レジスト表面の親水化処理を行うことにより、現像液のぬれ性の良いレジストパターンを形成でき、その結果、現像ムラやエッチング後の欠陥数を減少する。親水化処理剤としては、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、イソプロピルアルコール、ジエチルエタノールアミン等が好適に使用できる。

請求項（抜粋）：

基板上に、リソグラフィーのためのレジストパターンを形成する方法において、パターン露光後、レジスト現像前に表面親水化処理を行うことにより、現像液のレジスト表面に対するぬれ性を向上させることを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (2件)：

G03F 7/38 512 , H01L 21/027

FI (2件)：

G03F 7/38 512 , H01L 21/30 568

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開昭60-126651
特開昭61-030033
特開昭63-317379

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審査官引用 (5件)

特開昭60-126651
特開昭61-030033
特開昭63-317379

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