特許

J-GLOBAL ID：200903059199333003

発光ダイオ-ド

発明者： 小倉 康太郎
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 川崎 勝弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-000920
公開番号（公開出願番号）：特開2000-200926
出願日： 1999年01月06日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：

【要約】【課題】 化合物半導体領域のGaが電極表面に析出することを防止し、ワイヤボンデングの強度を改善した発光ダイオ-ドを提供すること。【解決手段】 発光素子部2の上に形成されるp側電極30は、AuBe層31、Au層32、Ti層33、Au層34が順次積層されている。AuBe層31は発光素子部2とのオ-ミック接触層、Ti層33は化合物半導体領域のGaの拡散障壁作用および接続を良好にするために設けられる。また、Au層34はワイヤボンデングを良好にするための接続用金属層として形成される。AuBe層31とTi層33との間に形成されたAu層32は、Ti層33のTiがAuBe層31に拡散する際の障壁として作用する。また、発光素子部2のGaがAu層34側に拡散する際の障壁として作用する。

請求項（抜粋）：

ガリウム(Ga)を含む化合物半導体領域上に電極を設けた発光ダイオ-ドにおいて、前記電極が、前記化合物半導体領域にオ-ミック接触しているオ-ミック接触層と、金属線とワイヤボンデングにより接続される接続層と、該接続層とオ-ミック接触層との間に設けられたチタン(Ti)層と、該Ti層とオ-ミック接触層との間に、TiおよびGaに対する拡散障壁層を設けたことを特徴とする発光ダイオ-ド。

Fターム (5件)：

5F041AA41 ,  5F041CA37 ,  5F041CA85 ,  5F041CA92 ,  5F041DA08