特許

J-GLOBAL ID：200903059203563027

有機記憶分子とその製造方法、それを用いた記録媒体及びその記憶再生消去方法

発明者： 百瀬 悟
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-180056
公開番号（公開出願番号）：特開平8-041014
出願日： 1994年08月01日
公開日（公表日）： 1996年02月13日
要約：

【要約】【目的】 試料の基板である基板電極と、試料上部にあるプローブ電極による操作で1分子単位の記録が可能でなおかつ読みだしが容易な記憶媒体を実現する有機記憶分子と、これを金属基板上に垂直に配向させた記憶媒体、及びこの媒体に対して1分子単位での記録・消去を可能とする記録・消去方法を提供する。【構成】 記憶分子は、例えば一般式(1)で表される。ここで、R1は炭素数1から8のアルキル基またはアリール基、R2は炭素数1から8の、各位に任意の官能基を有するアルキル基を表す。この分子を金属基板上に、基板に対して垂直に配向した単分子膜として記憶媒体とする。【化32】

請求項（抜粋）：

一般式(1)【化1】(但しR1 は炭素数1から8のアルキル基またはアリール基、R2 は炭素数1から8の、各位に任意の官能基を有するアルキル基を表す)で表される有機記憶分子。

IPC (4件)：

C07C323/22 ,  C07C 46/00 ,  C07C 50/16 ,  G11B 9/00