特許

J-GLOBAL ID：200903059211099470

メタルプラグの形成方法

発明者： 塚本 弘範
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-197922
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045462
出願日： 1992年07月24日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：

【要約】【目的】 高アスペクト比のコンタクトホールへ高温スパッタ法によりAlを良好に埋め込める方法を得る。【構成】 層間絶縁膜18にコンタクトホール19を開孔した後、NH3ガス雰囲気中でアニールを行ない、層間絶縁膜18表面にシリコン窒化膜20を形成した後、チタン膜21を全面に形成する。続いて、高温スパッタ法にてAlをコンタクトホール19内に埋め込む。このように、シリコン窒化膜20を形成しておくことにより、チタン膜21は層間絶縁膜18中の酸素で酸化されることがなく、Alとのぬれ性を確保できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールにアルミニウム系金属を埋め込むメタルプラグの形成方法において、前記層間絶縁膜にコンタクトホールを開孔した後、窒素系ガス雰囲気中でアニールを施す工程と、その後、全面にアルミニウム系金属とぬれ性の良い高融点金属膜を形成する工程と、次いで高温スパッタ法でアルミニウム系金属をコンタクトホールに埋め込む工程とを備えることを特徴とするメタルプラグの形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/3205