特許

J-GLOBAL ID：200903059218797415

パターン形成方法及びその装置

発明者： 吉村 俊之 ,  木村 紳一郎 ,  辻本 和典 ,  横山 夏樹 ,  久本 大 ,  松岡 秀行 ,  鳥居 和功 ,  野田 浩正
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-297025
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136033
出願日： 1991年11月13日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：

【要約】【目的】複雑な計算機処理を行なわずに近接効果を簡便に低減するパターン形成方法及びパターン形成装置を提供する。【構成】基板1上のネガ型電子線レジスト2にエネルギ線(電子線3)を照射した後に、一旦、現像を行ないパターンを形成する。その後、再び、ネガ型電子線レジスト2′を塗布し、再び電子線3′を照射して現像によってパターンを形成する。パターンにより、これらの処理を繰り返す。【効果】レジスト内の蓄積エネルギが実効的に低減されるため、複雑な計算機処理を行なわずに近接効果を補正することができる。

請求項（抜粋）：

基板上に設置されたエネルギ線に対して感応性をもつ材料に、前記エネルギ線を選択的に照射した後に現像処理を行ないパターンを得るパターン形成方法において、前記エネルギ線を選択的に複数回照射し、前記複数回照射の間にパターン形成部以外の領域でのパターン形成反応を低減させる工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

FI (2件)：

H01L 21/30 341 M ,  H01L 21/30 301 C