特許

J-GLOBAL ID：200903059220226018

アクティブマトリクス表示装置

発明者： 山崎 舜平 ,  小山 潤
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-026208
公開番号（公開出願番号）：特開平9-102613
出願日： 1996年01月19日
公開日（公表日）： 1997年04月15日
要約：

【要約】【目的】 特に結晶化を促進させる触媒元素を用いて得られた結晶性シリコンを活性層とする薄膜トランジスタ(TFT)によって構成されたアクティブマトリクス表示装置のOFF電流を低減させる構成を提供する。【構成】 アクティブマトリクス表示装置において、スイッチング素子として1個の画素電極に対して複数の薄膜トランジスタを直列に接続して設け、前記直列接続した薄膜トランジスタの両端を除く少なくとも1個の薄膜トランジスタが常時ON状態とすることにより、前記直列接続した薄膜トランジスタの間に抵抗成分および容量成分を構成せしめ、前記スイッチング素子のOFF時のリーク電流を低減せしめる。

請求項（抜粋）：

アクティブマトリクス表示装置において、画像信号線とゲイト信号線が実質的に直交して構成されたマトリクスに画素電極を有し、1個の前記画素電極に対して少なくとも3個の薄膜トランジスタを直列に接続し、前記直列接続した薄膜トランジスタの画像信号線に接続して設けられた薄膜トランジスタを除く少なくとも1個の薄膜トランジスタが常時ON状態になっている回路をスイッチング素子とし、かつ、前記薄膜トランジスタの活性層は結晶性シリコンによって構成され、1×1015〜1×1019原子/cm3 のシリコンの結晶化を促進する触媒元素が含有されていることを特徴とするアクティブマトリクス表示装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 612 Z ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 617 W ,  H01L 29/78 618 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• アクティブマトリクス表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-145574   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-020767   出願人：富士ゼロックス株式会社