特許
J-GLOBAL ID:200903059222846617

Agを含み結晶方位の揃った酸化物超電導体及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 阿仁屋 節雄 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-205053
公開番号(公開出願番号):特開平10-053415
出願日: 1996年08月02日
公開日(公表日): 1998年02月24日
要約:
【要約】【課題】 機械強度、磁気特性、耐環境性が高く、結晶が大きく配向した酸化物超電導体をを提供する。【解決手段】RE化合物(REはYを含む1種又は2種以上の希土類元素)、Ba化合物及びCu化合物の原料を含む原料混合体に、少なくとも該原料混合体の融点より高い温度領域における焼成工程を含む処理を施してRE-Ba-Cu-O系酸化物超電導体を製造する酸化物超電導体の製造方法において、上記原料混合体にAgを1〜30wt%添加する添加工程と、Agを添加した該原料混合体をRE2 BaCuO5 相と液層に分解溶融する温度以上で融解して、REBa2Cu3 O7-X 相が晶出する温度付近まで降温して、種結晶のREBa2 Cu3 O7-X 相の生成温度>Agを添加した該原料混合体のREBa2 Cu3 O7-X 相の生成温度の条件を満たす種結晶を接触させ、この種結晶を起点として結晶化を行う結晶化工程とを有することを特徴とする。
請求項(抜粋):
REBa2 Cu3 O7-X 相(REはYを含む1種又は2種以上の希土類元素)中にRE2 BaCuO5 相が微細に分散した酸化物超電導体において、少なくとも縦横20mm厚さ2mm以上にわたって隣接する結晶間の方位のずれが±5 ゚以下であり、かつREBa2 Cu3 O7-X 相中にAgを1〜30wt%含むことを特徴とする酸化物超電導体。
IPC (4件):
C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C30B 29/22 501 ,  H01L 39/12 ZAA
FI (4件):
C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 S ,  C30B 29/22 501 B ,  H01L 39/12 ZAA C

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