特許

J-GLOBAL ID：200903059227430443

メモリセル装置、その製造方法及び作動方法

発明者： フランツ ホフマン ,  ウォルフガング クラウチュナイダー ,  ウォルフガング レスナー ,  ロタール リッシュ ,  ティル シュレーサー ,  パウル-ウェルナー フォン バッセ
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-358127
公開番号（公開出願番号）：特開平11-243183
出願日： 1998年12月16日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：

【要約】【課題】 改善された方法で制御することのできる、特にギガビット世代に必要なメモリ密度を有するメモリセル装置、このようなメモリセル装置の製造方法及び作動方法を提供する。【解決手段】メモリセル装置はシリコン基板内にそれぞれビット線とメモリ素子との間に接続されている少なくとも1つの選択トランジスタを有する多数のメモリセルを有している。これらのメモリセルはそれぞれ第1のワード線と第2のワード線を介して制御可能であり、その際第1のワード線及び第2のワード線は交差している。

請求項（抜粋）：

半導体基板に多数のメモリセルが備えられており、これらのメモリセルがそれぞれ半導体基板の主面に関して垂直な少なくとも1つの選択トランジスタを有し、この選択トランジスタがメモリ素子(121、122、123)と接続されており、メモリセルがそれぞれ第1のワード線(112′)と第2のワード線(115)を介して制御可能であり、その際第1のワード線(112′)と第2のワード線(115)が互いに交差していることを特徴とするメモリセル装置。

IPC (2件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 27/10 671 B ,  H01L 27/10 621 Z