特許
J-GLOBAL ID：200903059229641824
交換表示機能付不揮発性メモリ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-021257
公開番号（公開出願番号）：特開平6-236695
出願日： 1993年02月09日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：
【要約】【目的】 メモリのデータ書込み回数に適合して、メモリ装置の交換時期を的確に表示できる交換表示機能付不揮発性メモリ装置を提供する。【構成】 不揮発性メモリ素子を用いた不揮発性メモリ装置において、メモリ素子へのデータ書込み毎の書換え動作を検出する書換え動作検出回路21と、この書換え動作検出回路21からの出力信号に基づいてメモリ素子への書換えを行った回数をカウントする書換え回数カウンタ22と、この書換え回数カウンタ22からの出力信号に基づいて、前にカウントした回数との累積数を記憶する書換え回数記憶回路23と、この書換え回数記憶回路23からの書換え回数と、前記メモリ素子の書換え回数制限値とを比較する比較回路24と、この比較回路24からの書換え回数制限値以上の出力信号に基づいて装置の交換を行うように表示する交換時期表示回路25を設ける。
請求項（抜粋）：
不揮発性メモリ素子を用いた不揮発性メモリ装置において、(a)メモリ素子へのデータ書込み毎の書換え動作を検出する書換え動作検出回路と、(b)該書換え動作検出回路からの出力信号に基づいてメモリ素子への書換えを行った回数をカウントする書換え回数カウンタと、(c)該書換え回数カウンタからの出力信号に基づいて、前にカウントした回数との累積数を記憶する書換え回数記憶回路と、(d)該書換え回数記憶回路からの書換え回数と、前記メモリ素子の書換え回数制限値とを比較する比較回路と、(e)該比較回路からの書換え回数制限値以上の出力信号に基づいて装置の交換を行うように表示する交換時期表示回路を備えたことを特徴とする交換表示機能付不揮発性メモリ装置。
IPC (2件)：
G11C 16/06
, G06F 12/16 310
