特許

J-GLOBAL ID：200903059232100796

EL素子の製造方法

発明者： 笹谷 卓也 ,  山本 敦司 ,  甲村 司
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 伊藤 洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-041002
公開番号（公開出願番号）：特開平10-241856
出願日： 1997年02月25日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】 ガラス基板の凹凸表面に、EL素子を構成する各層を均一な膜厚で形成する。【解決手段】 ガラス基板1の表面1aに凹凸を形成し、このガラス基板1の表面にSOG9を塗布し、それを焼成して表面9aの凹凸を滑らかにし、このSOG9の上に、下部電極2、下部絶縁層3、発光層4、上部絶縁層5、上部電極6を順次積層する。

請求項（抜粋）：

ガラス基板(1)の表面に凹凸を形成し、このガラス基板(1)の表面に、表面の凹凸を平滑化する平滑化層(9)を形成し、この平滑化層(9)の上に、下部電極(2)、下部絶縁層(3)、発光層(4)、上部絶縁層(5)、上部電極(6)を積層することを特徴とするEL素子の製造方法。

IPC (3件)：

H05B 33/02 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/22

FI (3件)：

H05B 33/02 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/22