特許

J-GLOBAL ID：200903059236825868

半導体装置、その製造方法及び層間絶縁膜の形成方法

発明者： 青井 信雄
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-220175
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058641
出願日： 1998年08月04日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】 金属配線同士の間の絶縁膜の実効的な比誘電率を低減すると共に、金属配線と有機絶縁膜との密着性を向上させる。【解決手段】 半導体基板100の上に金属配線パターン101を形成した後、C4F8/CH4 /ビニルトリメトキシシランの混合ガスからなる第1の原料ガスを用いるプラズマCVD法により、半導体基板100の上に全面に亘ってシロキサン含有フッ素化有機膜からなる第1の密着層102を堆積する。次にC4F8/CH4 の混合ガスからなる第2の原料ガスを用いるプラズマCVD法により、第1の密着層102の上に全面に亘ってフッ素化アモルファスカーボン膜からなる有機絶縁膜103を堆積する。次にC4F8/CH4 /ビニルトリメトキシシランの混合ガスからなる第2の原料ガスを用いるプラズマCVD法により、有機絶縁膜103の上に全面に亘ってシロキサン含有フッ素化有機膜からなる第2の密着層104を堆積する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された金属配線パターンと、前記金属配線パターンの上を含む前記半導体基板上に形成され、フッ素-炭素結合を含有する有機化合物及び有機シラン誘導体を主原料とするシロキサン含有フッ素化有機膜からなる第1の密着層と、前記第1の密着層の上に形成され、フッ素-炭素結合を含有する有機化合物を主原料とするフッ素化有機膜からなる有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜の上に形成され、フッ素-炭素結合を含有する有機化合物及び有機シラン誘導体を主原料とするシロキサン含有フッ素化有機膜からなる第2の密着層と、前記第1の密着層の上に形成された無機化合物からなる無機絶縁膜とを備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/314

FI (4件)：

H01L 21/90 J ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/312 M ,  H01L 21/314 M

Fターム (17件)：

4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030BA35 ,  4K030CA04 ,  4K030FA01 ,  5F033AA09 ,  5F033AA66 ,  5F033BA11 ,  5F033EA03 ,  5F033EA29 ,  5F033EA32 ,  5F033FA03 ,  5F058AA08 ,  5F058AD06 ,  5F058AD09 ,  5F058AF02 ,  5F058AH02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 低誘電率絶縁体膜の形成方法およびこれを用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-012124   出願人：ソニー株式会社
• 絶縁膜及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-087832   出願人：富士通株式会社
• 低誘電率絶縁膜とその形成方法、及びそれを用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-205648   出願人：富士通株式会社
• 絶縁膜構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-252540   出願人：ソニー株式会社