特許
J-GLOBAL ID：200903059236930548

回路基板およびその製造方法

発明者：
本田 宣昭

本田 宣昭 について


出願人/特許権者：
株式会社山武

株式会社山武 について


代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-091536
公開番号（公開出願番号）：特開平11-317474
出願日： 1998年04月03日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：
【要約】【課題】 基板裏面側からの電極の取出しを可能にするとともに、製造プロセスにおけるコンタミネーション、薄膜メンブレンの破壊等の問題を解決する。【解決手段】 半導体基板からなる回路基板22の内部に、基板表面から裏面まで連続しかつ面内方向に閉じた筒状の電気的絶縁領域を形成する。この電気的絶縁領域は、耐熱性の絶縁材料からなる絶縁層33によって形成される。絶縁層33は、回路基板22に貫通穴もしくは溝を形成し、その壁面に酸化膜または窒化膜を成膜するかまたは絶縁材料を充填することで形成される。溝の場合は、絶縁層33を成膜した後、溝が基板の表裏面に現れるように基板を研磨等によって薄くする。絶縁層33によって囲まれた領域は、不純物の拡散によって電気伝導度が増加されることにより電極31として機能する。
請求項（抜粋）：
半導体基板にこの半導体基板の表面から裏面まで連続しかつ前記半導体基板面に平行な面内において閉じた耐熱性の絶縁材料からなる電気的絶縁領域を備え、この電気的絶縁領域は、前記半導体基板を前記電気的絶縁領域に囲まれた第1の領域と前記電気的絶縁領域の外側の第2の領域とを電気的に絶縁分離し、前記第1の領域は、導電性を持つように高い不純物濃度を有することを特徴とする回路基板。
IPC (2件)：
H01L 23/14 ,  G01F 1/68
FI (2件)：
H01L 23/14 Z ,  G01F 1/68
引用特許：
出願人引用 (6件)
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