特許
J-GLOBAL ID：200903059238916542
誘電体薄膜の製造方法及びその製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-319606
公開番号（公開出願番号）：特開平7-172996
出願日： 1993年12月20日
公開日（公表日）： 1995年07月11日
要約：
【要約】【目的】 成長初期状態の被膜の結晶性を改善することにより、従来よりも薄膜化して結晶性の良い(Pb1-x Lax )Ti1-x/4 O3 薄膜を得る。【構成】 Pb、Ti及びLaの金属ターゲットを用い、各ターゲットにArイオンビームを照射してスパッタすることにより、酸素ガス雰囲気中(〜6×10-5Torr)でMgO基板4の上にバッファ層としてのPLT薄膜を200オングストロームの膜厚で形成する。このバッファ層の上に、マグネトロンスパッタ法によって800オングストロームのPLT薄膜を、RF電力=900W、基板温度=590°C、ガス圧=0.1Pa、Ar/O2 ガス流量比=25/1sccm/sccmの成膜条件下で堆積する。
請求項（抜粋）：
基板上にペロブスカイト型複合化合物である(Pb1-x Lax)Ti1-x/4 O3 薄膜を堆積させる誘電体薄膜の製造方法であって、薄膜堆積前に基板上にイオンビームスパッタ法により(Pb1-x Lax )Ti1-x/4 O3 のバッファ層を形成し、その上に(Pb1-x Lax )Ti1-x/4 O3 薄膜を堆積させることを特徴とする誘電体薄膜の製造方法。
IPC (14件)：
C30B 29/32
, C01G 23/00
, C23C 14/08
, C23C 14/46
, C30B 23/08
, H01G 4/33
, H01G 4/12 400
, H01L 21/314
, H01L 21/316
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 41/24
, H01L 21/8242
, H01L 27/108
H01G 4/06 102
, H01L 27/04 C
, H01L 41/22 A
, H01L 27/10 325 J
