特許
J-GLOBAL ID：200903059239167586
集積回路の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-219871
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069298
出願日： 1992年08月19日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：
【要約】【目的】ウェハー状態で潜在欠陥を除去するためのバーンインを実施すること。【構成】半導体ウェハー1の上に形成された多数の未分割チップ2のそれぞれから分離領域3に配線を引き出し、同種の配線は共に接続して、共に接続された配線は、ウェハー1の周辺に設けた電源端子5、接地端子6、入力信号端子7、データ入出力信号端子8にそれぞれ延長接続している。【効果】ウェハー上の全未分割チップに対し同時にバーンイン用電圧を印加できるので、一括して高能率のバーンインが実施できる。
請求項（抜粋）：
半導体ウェハー上に多数の未分割チップが形成されたままのウェハー状態で、前記未分割チップのそれぞれに対して電気的ストレスを加えるバーンインを施すことを含む集積回路の製造方法において、前記ウェハー上の多数の未分割チップを互いに分離している分離領域に前記各チップの電源用、接地用ボンディングパッドおよび所要の信号用などのボンディングパッドから配線を引き出し、これらの同種の配線は共に接続し、この共に接続した配線のそれぞれは前記ウェハー周辺に設けた複数のバーンイン用端子に延長して外部配線を形成し、前記バーンイン用端子に所要電圧を印加しバーンインを実施することを特徴とする集積回路の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/66
, G01R 31/26
, G01R 31/28
, H01L 21/326
