特許
J-GLOBAL ID：200903059244445292
バンプ電極の形成方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 敬一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-205406
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053222
出願日： 1992年07月31日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：
【要約】【目的】 バンプ電極の最大横幅を減少させずに、バンプ電極を所望の高さで形成する。【構成】 半導体基板(1)に直接固着され又は導電層を介して間接的に固着された支持部(9a)及び支持部(9a)の側部から外側に突出して支持部(9a)の上部に形成された頭部(9b)とを備えた突起状金属層を形成する工程と、突起状金属層をポジ形のフォトレジストで被覆する工程と、頭部(9b)の頂部を被覆するフォトレジストをエッチングにより選択的に除去する工程と、フォトレジストをマスクにして頭部にエッチングを施し、頭部(9b)の最大横幅を実質的に減少させずに頭部(9b)の厚みを薄くする工程とを含む。
請求項（抜粋）：
半導体基板に直接固着され又は導電層を介して間接的に固着された支持部及び該支持部の側部から外側に突出して前記支持部の上部に形成された頭部とを備えた突起状金属層を形成する工程と、前記突起状金属層をポジ形のフォトレジストで被覆する工程と、前記突起状金属層の頭部の上部を被覆するフォトレジストをエッチングにより選択的に除去する工程と、前記フォトレジストから露出する前記突起状電極層の頭部を一定厚さだけエッチングにより除去する工程と、を含むことを特徴とするバンプ電極の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/321
, H01L 21/302
