特許

J-GLOBAL ID：200903059250127154

薄膜の欠陥検出方法及びその装置

発明者： 本庄 禎治 ,  石川 博一 ,  北川 浩司
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 岡▲崎▼ 信太郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-351354
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174083
出願日： 1998年12月10日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】 薄膜の微少欠陥を定量的に評価することができる薄膜の欠陥検出方法及びその装置を提供すること。【解決手段】 基板1の上に形成されている前記絶縁膜IFの欠陥を検出する薄膜の欠陥検出方法において、前記基板1の上に前記絶縁膜IFを形成し、前記絶縁膜IFの上に第1導電膜MFを形成し、前記基板1及び前記第1導電膜MFに通電して、前記絶縁膜IFの欠陥を検出する。

請求項（抜粋）：

導電体からなる基板の上に形成されている絶縁膜の欠陥を検出する薄膜の欠陥検出方法において、前記基板の上に前記絶縁膜を形成し、前記絶縁膜の上に導電膜を形成し、前記基板及び前記導電膜に通電して、前記絶縁膜の欠陥を検出することを特徴とする薄膜の欠陥検出方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  G01N 27/20 ,  G01N 27/92

FI (3件)：

H01L 21/66 N ,  G01N 27/20 Z ,  G01N 27/92 Z

Fターム (18件)：

2G060AA09 ,  2G060AA20 ,  2G060AE02 ,  2G060AF01 ,  2G060AF07 ,  2G060AG06 ,  2G060AG08 ,  2G060AG11 ,  2G060EB05 ,  2G060EB06 ,  2G060EB07 ,  2G060GA01 ,  4M106AA01 ,  4M106AA12 ,  4M106BA14 ,  4M106DH04 ,  4M106DH16 ,  4M106DH60