特許
J-GLOBAL ID：200903059250338180
半導体ダイヤモンド
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 望稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-148391
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013342
出願日： 1991年06月20日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：
【要約】 (修正有)【構成】 ドープトダイヤモンド単結晶膜2上に、該単結晶膜と伝導型の異なるドープトダイヤモンド単結晶膜の中間層3を有し、該中間層上に該中間層と伝導型の異なるドープトダイヤモンド単結晶膜4を有することを特徴とする半導体ダイヤモンド。ドープトダイヤモンド単結晶膜2上に、ノンドープトダイヤモンド単結晶膜の中間層3を有し、該中間層上にドープトダイヤモンド単結晶膜4を有することを特徴とする半導体ダイヤモンド。【効果】 本発明によって、欠陥の少なく電気的特性の良好なダイヤモンド単結晶膜を得る事が可能となり、高温動作トランジスタ、耐放射線トランジスタ、短波長レーザー等の各種ダイヤモンド半導体素子の特性が向上した。
請求項（抜粋）：
ドープトダイヤモンド単結晶膜上に、該単結晶膜と伝導型の異なるドープトダイヤモンド単結晶膜の中間層を有し、該中間層上に該中間層と伝導型の異なるドープトダイヤモンド単結晶膜を有することを特徴とする半導体ダイヤモンド。
IPC (5件)：
H01L 21/205
, C30B 29/04
, H01L 21/02
, H01L 29/48
, H01S 3/18
