特許

J-GLOBAL ID：200903059252121625

GaN系化合物半導体結晶の製造方法

発明者： 佐々木 伸一 ,  中村 正志 ,  佐藤 賢次
出願人/特許権者： 株式会社日鉱マテリアルズ
代理人 (1件)： 荒船 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-017929
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218043
出願日： 2002年01月28日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：

【要約】【課題】 GaN系化合物半導体結晶の成長工程において、成長されたGaN系化合物半導体結晶に割れが生じるのを有効に防止するGaN系化合物半導体結晶の成長方法を提供する。【解決手段】1または2種類以上の希土類元素を含む希土類13(3B)族ペロブスカイト結晶を基板としてその表面にGaN系化合物半導体結晶を成長させる方法において、前記基板の厚さを250μm以下として、熱膨張率の差によりGaN厚膜結晶が基板から受ける応力が小さくなるようにした。

請求項（抜粋）：

1または2種類以上の希土類元素を含む希土類13(3B)族ペロブスカイト結晶を基板としてその表面にGaN系化合物半導体結晶を成長させる方法において、前記基板の厚さを250μm以下とすることを特徴とするGaN系化合物半導体結晶の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00 C

Fターム (32件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EA02 ,  4G077ED06 ,  4G077EE04 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TB04 ,  4G077TC13 ,  4G077TK01 ,  4G077TK10 ,  5F041AA40 ,  5F041AA41 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA64 ,  5F045AA03 ,  5F045AA06 ,  5F045AB14 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD13 ,  5F045AF05 ,  5F045BB08 ,  5F045BB13 ,  5F045CA09 ,  5F052CA01 ,  5F052KA01