特許
J-GLOBAL ID：200903059264157064
密閉状態を確証するプロセス及びそのための半導体デバイス
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
社本 一夫 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-169639
公開番号（公開出願番号）：特開2000-135700
出願日： 1999年06月16日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：
【要約】【課題】 不適切な密閉状態のデバイスを簡単且つ自動的に同定する。【解決手段】 保護膜処理されていないむき出しのPN接合ダイオード(20)をセンサ構造体(14)を備えるデバイスウェハ(10)に形成する。次にデバイスウェハ(10)をキャッピングウェハ(12)に結合し、両ウェハ間に画成されたキャビティ(16)内部にPN接合ダイオード(20)及びマイクロマシン(14)を閉じ込める。次にPN接合ダイオード(20)に逆方向電流を流してその逆方向ダイオード特性を決定する。このため、既知の値の電圧をダイオード(20)に印加して逆方向の漏れ電流を測定するか、又は、既知の値の逆方向電流をダイオード(20)に流して電圧を測定する。十分な湿気がキャビティ(16)内部に存在する場合、保護膜処理されていないダイオード(20)は不安定な電流/電圧値を示すので、キャビティ(16)の密閉状態を判断できる。
請求項（抜粋）：
キャビティ(16)をその間に画成する2つの結合されたウェハ(10,12)の間の密閉状態を検査するための方法であって、前記方法は、半導体基板(10)にむき出しのPN接合ダイオード(20)を形成し、デバイスウェハ(10)をキャッピングウェハ(12)に結合して、前記PN接合ダイオード(20)を、前記デバイスウェハ(10)及び前記キャッピングウェハ(12)により両ウェハ間に画成されるキャビティ(16)の内部に閉じ込め、次に、前記PN接合ダイオード(20)に逆方向電流を流し、前記キャビティ(16)の内部に存在する湿気の示度として、前記逆方向電流を測定するか、又は、前記逆方向電流により引き起こされる電圧を測定する、各工程を含む、前記方法。
IPC (5件)：
B81C 5/00
, G01B 7/14
, G01C 19/56
, G01L 9/04 101
, G01P 15/08
B81C 5/00
, G01B 7/14 Z
, G01C 19/56
, G01L 9/04 101
, G01P 15/08 P
