特許
J-GLOBAL ID：200903059267275319
半導体記憶装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-298792
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151750
出願日： 1992年11月09日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】 キャパシタ容量を増大させ、かつ、隣接する記憶素子間のリーク電流を防止し、高集積化に適した半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。【構成】 ソースまたはドレインとなる不純物を含有した拡散層4の上に、所定の条件で化学的気相成長法により高融点金属膜6を形成すると、その表面に凹凸形状が形成される。高融点金属膜6を、記憶素子を構成するキャパシタのキャパシタ電極とする。
請求項（抜粋）：
情報の記憶を電荷の蓄積の形で行なう半導体記憶装置であって、主表面を有する第1導電型の半導体基板と、前記主表面上に間を隔てて形成された前記第1導電型と異なる第2導電型の第1の不純物領域および第2の不純物領域と、前記第1の不純物領域と前記第2の不純物領域との間の前記主表面上に形成された導電層と、前記第1の不純物領域または前記第2の不純物領域に接してその上に設けられ、表面に凹凸形状を有する高融点金属からなる第1のキャパシタ電極と、前記第1のキャパシタ電極の前記表面上に形成された絶縁層と、前記絶縁層の表面上に形成された第2のキャパシタ電極と、を含む半導体記憶装置。
IPC (2件)：
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