特許

J-GLOBAL ID：200903059272334722

半導体装置の製造方法

発明者： 島田 浩行
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 井上 一 ,  布施 行夫 ,  大渕 美千栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-003213
公開番号（公開出願番号）：特開2004-221114
出願日： 2003年01月09日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：

【課題】半導体装置の製造方法に関し、特にゲート電極に特徴を有する絶縁ゲート電界効果トランジスタを有する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置1000の製造方法は、基板12に設けられた半導体層16上に、ゲート絶縁層20を形成する工程と、前記ゲート絶縁層20上にゲート電極30を形成する工程と、を含み、前記ゲート電極30は、仕事関数が異なる少なくとも2種の金属のターゲットを用いて同時スパッタリング法により形成される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板に設けられた半導体層上に、ゲート絶縁層を形成する工程と、 前記ゲート絶縁層上にゲート電極を形成する工程と、を含み、 前記ゲート電極は、仕事関数が異なる少なくとも2種の金属のターゲットを用いて同時スパッタリング法により形成される、半導体装置の製造方法。

IPC (9件)：

H01L21/285 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

FI (9件)：

H01L21/285 S ,  H01L21/28 B ,  H01L27/08 331E ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/78 613A ,  H01L29/58 G ,  H01L27/08 321D

Fターム (71件)：

4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104BB21 ,  4M104CC05 ,  4M104DD26 ,  4M104DD37 ,  4M104DD64 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104DD84 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104HH16 ,  5F048AA07 ,  5F048AC04 ,  5F048BA16 ,  5F048BB04 ,  5F048BB09 ,  5F048BF06 ,  5F048BG07 ,  5F048DA25 ,  5F110AA08 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE06 ,  5F110EE31 ,  5F110EE32 ,  5F110EE44 ,  5F110EE48 ,  5F110EE50 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG02 ,  5F110GG25 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK05 ,  5F110HK33 ,  5F110HK40 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110QQ11 ,  5F140AA00 ,  5F140AA06 ,  5F140AA18 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF06 ,  5F140BF10 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG22 ,  5F140BG30 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK29 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39 ,  5F140CB04