特許

J-GLOBAL ID：200903059276412841

チオ(シクロペンタジエニル)(フェノキシ)チタン錯体の製造方法

発明者： 小林 諭 ,  日野 高広
出願人/特許権者： 住友化学工業株式会社
代理人 (1件)： 久保山 隆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-357338
公開番号（公開出願番号）：特開2001-172292
出願日： 1999年12月16日
公開日（公表日）： 2001年06月26日
要約：

【要約】【課題】 S架橋Cpフェノキシチタン錯体の製造方法を提供すること。【解決手段】 一般式(1)(式中、R1〜R8は、ハロゲン、アルキル、アルコキシ、アリール等)で示されるシクロペンタジエン化合物と四ハロゲン化チタンとを有機アルカリ金属の存在下に反応させる一般式(2)(式中、Xはハロゲン。)で示されるS架橋Cpフェノキシチタン錯体の製造方法。

請求項（抜粋）：

一般式(1)(式中、R1〜R8はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基またはアルキルもしくはアリール置換シリル基を示し、あるいは隣接する基が結合して環を形成していてもよい。)で示されるシクロペンタジエン化合物と四ハロゲン化チタンとを有機アルカリ金属の存在下に反応させることを特徴とする一般式(2)(式中、R1〜R8は前記と同じ意味を表わし、Xはハロゲン原子を示す。)で示されるS架橋Cpフェノキシチタン錯体の製造方法。

IPC (4件)：

C07F 17/00 ,  C07B 61/00 300 ,  C07C319/14 ,  C07C323/20

FI (4件)：

C07F 17/00 ,  C07B 61/00 300 ,  C07C319/14 ,  C07C323/20

Fターム (19件)：

4H006AA02 ,  4H006AC63 ,  4H006BA02 ,  4H006BA03 ,  4H006BA28 ,  4H006BA32 ,  4H006BA33 ,  4H006TA04 ,  4H006TB42 ,  4H006TC06 ,  4H006TC32 ,  4H039CA61 ,  4H039CD10 ,  4H039CD60 ,  4H050AA02 ,  4H050BE90 ,  4H050WB11 ,  4H050WB13 ,  4H050WB21