特許

J-GLOBAL ID：200903059278534499

選択エッチング方法ならびに光電子素子およびその製造方法

発明者： 成井 二三代 ,  小沢 正文
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-074389
公開番号（公開出願番号）：特開平6-342960
出願日： 1994年03月18日
公開日（公表日）： 1994年12月13日
要約：

【要約】【目的】 ZnSe、ZnTe、ZnSSeまたはZnMgSSe系化合物半導体の選択エッチングを良好な制御性および再現性で行う。【構成】 被エッチング層としてのZnSe、ZnTe、ZnSSeまたはZn<SB>1-a </SB>Mg<SB>a </SB>S<SB>b </SB>Se<SB>1-b </SB>(0<a<1、0<b<1)層6、7を反応性イオンエッチング法などのドライエッチング法により選択的にエッチングする際に、Zn<SB>1-x </SB>Mg<SB>x </SB>S<SB>y </SB>Se<SB>1-y </SB>(0<x<1、0<y<1、a<x)層5をエッチングストップ層として用いる。この選択エッチング方法を用いて半導体レーザーなどの光電子素子を製造する。

請求項（抜粋）：

Zn<SB>1-x </SB>Mg<SB>x </SB>S<SB>y </SB>Se<SB>1-y </SB>(0<x<1、0<y<1)系化合物半導体から成るエッチングストップ層上にZnSe、ZnTe、ZnSSeまたはZn<SB>1-a </SB>Mg<SB>a </SB>S<SB>b </SB>Se<SB>1-b </SB>(0<a<1、0<b<1、a<x)系化合物半導体から成る被エッチング層を形成し、上記被エッチング層をドライエッチング法により選択的にエッチングするようにしたことを特徴とする選択エッチング方法。