特許
J-GLOBAL ID：200903059286401562
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 弘男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-100973
公開番号（公開出願番号）：特開平9-289260
出願日： 1996年04月23日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：
【要約】【課題】 上部を覆うセラミックキャップの下面と該セラミック側壁の上面とを熱圧着によりろう付けしてパッケージングする半導体装置において、半導体装置内部の搭載部品等の破壊や半導体装置の特性変動等の原因となるろう材流れを防止すること。【解決手段】 半導体チップを搭載する放熱板の半導体チップ搭載部の周囲にセラミック側壁を形成し、上部を覆うセラミックキャップの下面と該セラミック側壁の上面とを熱圧着によりろう付けしてパッケージングする半導体装置であって、該セラミックキャップ下面が該セラミック側壁内周より内側で該セラミック側壁とかみ合うように該半導体装置内部に向けて凸形状をなす半導体装置において、 該セラミックキャップの下面と該セラミック側壁の上面とを、前記セラミック側壁の外周寄りの部分のみでろう付けする。
請求項（抜粋）：
半導体チップを搭載する放熱板の半導体チップ搭載部の周囲にセラミック側壁を形成し、上部を覆うセラミックキャップの下面と該セラミック側壁の上面とを熱圧着によりろう付けしてパッケージングする半導体装置であって、該セラミックキャップ下面が該セラミック側壁内周より内側で該セラミック側壁とかみ合うように該半導体装置内部に向けて凸形状をなす半導体装置において、該セラミックキャップの下面と該セラミック側壁の上面とが、前記セラミック側壁の外周寄りの部分のみでろう付けされていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/02 C
, H01L 23/08 C
